Les nouveaux transistors IBM et Samsung pourraient être la clé des puces inférieures à 1 nm | Engagé

Les nouveaux transistors IBM et Samsung pourraient être la clé des puces inférieures à 1 nm |  Engagé

IBM et Samsung affirment avoir fait une percée dans la conception des semi-conducteurs. Le premier jour de la conférence IEDM à San Francisco, les deux sociétés ont dévoilé un nouveau design pour empiler verticalement des transistors sur une puce. Avec les processeurs actuels et les SoC, les transistors reposent à plat sur la surface du silicium, puis le courant électrique circule d'un côté à l'autre. En revanche, les transistors à effet de champ de transport vertical (VTFET) sont perpendiculaires les uns aux autres et le courant circule verticalement.

Selon IBM et Samsung, cette conception présente deux avantages. Premièrement, cela leur permettra de contourner de nombreuses limitations de performances pour étendre la loi de Moore au-delà du seuil de 1 nanomètre. Plus important encore, la conception conduit à moins d'énergie gaspillée grâce à un flux de courant plus important. Ils estiment que le VTFET conduira à des processeurs deux fois plus rapides et utilisant 85 % moins d'énergie que les puces conçues avec des transistors FinFET. IBM et Samsung affirment que le processus pourrait un jour permettre aux téléphones de fonctionner une semaine complète avec une seule charge. Ils disent que cela pourrait également rendre certaines tâches énergivores, y compris le cryptomining, plus économes en énergie et donc moins impactantes sur l'environnement.

IBM et Samsung n'ont pas dit quand ils envisagent de commercialiser la conception. . Ce ne sont pas les seules entreprises à tenter de dépasser la barrière du nanomètre. En juillet , Intel a annoncé son intention de finaliser la conception des puces à l'échelle de l'angstrom d'ici 2024. La société prévoit d'accomplir l'exploit en utilisant son nouveau nœud « Intel 20A » et ses transistors RibbonFET. .

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